在垂直式高温炉中，设计有双层烙融石英管，情性气体成抓化物气体可以在内外管之间流动，防止污染物扩散到内管工艺处理区域内。晶片承载舟(石英材料)每批可容纳150片晶片。晶片从晶片盒(Cassette)通过机械手加载到石英舟后，石英舟被送入到高温炉的加热区。在工艺处理步骤之间，加热区保持在相对较低的温度下(700-800℃)，然后被慢慢升高到工艺处理温度(约950℃）。之后慢怪降低到室温。与卧式炉的温度特性比较，升温速度从10-20℃/min提高到100℃/min，降温速度从5℃/min提高到60℃/min。因此它能够在更短的循环周期内对小批量的硅片进行热处理。 燃气热处理炉(RTP)。RTP的典型特征是采用卤钨素灯作为加热源对硅片直接加热。它是一种单晶片处理的方式，能以1-250℃/sec的速度快速升温或快速降温，比传统高温沪的速度要快得多。RTP可以在几秒种之内将晶片从室温加热到1100℃。和高温炉相比较，RTP有很多优点，包括晶片热预算更低、处理温度更高、工艺控制更好、工艺处理时间更短等。在o.5微米以下工艺技术中已经完全取代传统的高温退火炉成为半导体制造工艺过程中的关键技术。 快速热处理设备模块化设计。通过位于各模块中心的传输模块(TransferModule)进行各不同工艺模块之间、工艺模块与外界生产环境之间的硅片传输。各个模块之间保持机械、电气装置的独立。通过利用同一机械手在不同的反应模块之间进行硅片的传输，可以极大的降低设备的转换时间，同时通过利用统一的群集设备控制系统归协调传输平台模块与工艺反应模块之间的工作，实现整机的工作流程以及工艺菜单的自动执行，提高了单台设备的产出率以及整机的工艺集成能力，并为实现更为复杂的工艺集成，以及检测集成提供了良好的基础。 传统的灯光热源有向激光热源发展的趋势.利用激光热源处理技术仅需几纳秒即可完成极浅结点和触点的激活，因而在热投入为零的条件下实现了芯片期望的性能特点。使用激光退火炉能够改善器件的可靠性和良率，进而实现生产能力的飞跃。高频感应加热，如图示。在石英腔体外缠绕线圈，石英腔体内放置平行石墨加热板。当向线圈中通以高频电压，在线圈周边就会产生高频电磁场，位于高频交变电磁场中的石墨板受到感应后发热成为热源，由此对腔体内的硅片进行热处理退火。整体来说这种方式虽然制造和维护成本低，但由于石墨板在感应时的热迟滞性以及停止加热时的热惯性，导致温度控制响应速度较慢、温度控制精度在技术上很难得到保证，而且高频电磁辐射控制不当容易对环境造成电磁污染等缺点。以上信息是由一通电炉提供,我们的专业的网址:http://www.kfytdl.com.cn |
